### Phân tích pha điện áp ra và điện áp vào
#### Cấu trúc mạch cực C chung:
1. **Cấu trúc cơ bản:**
- Ngõ vào (Vin) được đặt vào cực B (Base).
- Cực C (Collector) được nối trực tiếp với nguồn cung cấp (Vcc).
- Ngõ ra (Vout) được lấy từ cực E (Emitter).
- Cực E (Emitter) cũng được nối với một điện trở RE đi xuống đất (Ground).
#### Phân tích pha:
- **Điện áp vào (Vin):** Tín hiệu được đưa vào cực B.
- **Điện áp ra (Vout):** Tín hiệu được lấy từ cực E.
Trong mạch cực C chung, điện áp ra tại cực E gần bằng với điện áp tại cực B, nhưng giảm đi một lượng điện áp V_BE (khoảng 0.7V đối với transistor silicon).
\[
V_{out} \approx V_{in} - V_{BE}
\]
#### Pha của điện áp:
Vì điện áp ra tại cực E gần như theo sát điện áp vào tại cực B (chỉ trễ đi một lượng nhỏ là V_BE), nên điện áp ra và điện áp vào có cùng pha.
### Ứng dụng cơ bản của mạch cực C chung
1. **Buffer (Bộ đệm):**
- Mạch emitter follower thường được sử dụng làm bộ đệm vì nó có điện trở vào cao và điện trở ra thấp.
- Điều này cho phép mạch chuyển tín hiệu từ nguồn có trở kháng cao sang tải có trở kháng thấp mà không làm giảm biên độ tín hiệu.
2. **Tăng cường dòng điện:**
- Mạch này có khả năng cung cấp dòng điện lớn hơn mà không thay đổi đáng kể điện áp đầu vào.
- Điều này hữu ích khi cần điều khiển tải có yêu cầu dòng điện cao.
### Quan hệ điện áp ra và điện áp vào khi sử dụng BJT loại NPN
Sử dụng BJT loại NPN, quan hệ giữa điện áp ra và điện áp vào không thay đổi nhiều. Lý do chính là:
1. **Điện áp BE:** Với BJT loại NPN, điện áp V_BE vẫn là khoảng 0.7V khi transistor hoạt động ở vùng tích cực. Điều này có nghĩa là điện áp ra sẽ luôn thấp hơn điện áp vào một lượng V_BE.
2. **Pha:** Vì điện áp ra và điện áp vào có cùng pha khi sử dụng BJT loại NPN, điều này không thay đổi khi chuyển từ loại transistor khác sang NPN.
### Tóm lại
- Mạch cực C chung với BJT loại NPN có điện áp ra và điện áp vào cùng pha.
- Quan hệ điện áp ra và điện áp vào: \( V_{out} \approx V_{in} - V_{BE} \).
- Ứng dụng cơ bản: bộ đệm, tăng cường dòng điện.
- Khi sử dụng BJT loại NPN, quan hệ điện áp không thay đổi vì tính chất điện áp V_BE của transistor.